Transistors - FETs, MOSFETs - RF - Компания JXR Technology (Гонконг) Ltd.

Продуктовый

Домой > Продуктовый > Дискретные полупроводниковые продукты > Транзисторы - FET, MOSFET - RF

номер детали	изготовитель	акция	Замечания	описание
MRF7S19210HR5	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 65V 1.99GHZ NI780
MRF7S19210HR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 65V 1.99GHZ NI780
MRF7S21210HR5	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
MRF7S21210HSR5	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
MRF7S21210HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
MRF8S18120HSR5	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S
MRF8S18120HR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 65V 1.81GHZ NI-780
MRFE6P9220HR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 66V 880MHZ NI-860C3
MRF8S18120HR5	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 65V 1.81GHZ NI-780
MRF8S9100HR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 70V 920MHZ NI-780
MRFE6S8046GNR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 66V 894MHZ TO-270-4
MRF7S21210HR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
MRF8S9100HR5	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 70V 920MHZ NI-780
BLD6G22LS-50,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B
MRFE6S8046NR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 66V 894MHZ TO-270-4
SD2933-03	STMicroelectronics	5000	- + Добавить Расследования	TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177
BLA1011S-200R,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
MRFE6S9046NR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 66V 960MHZ TO-270-4
MRF7S18125BHR5	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 65V 1.93GHZ NI780
BLA1011-200R,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A