Transistors - FETs, MOSFETs - RF - Компания JXR Technology (Гонконг) Ltd.

Продуктовый

Домой > Продуктовый > Дискретные полупроводниковые продукты > Транзисторы - FET, MOSFET - RF

номер детали	изготовитель	акция	Замечания	описание
PD57018TR-E	STMicroelectronics	5000	- + Добавить Расследования	TRANSISTOR RF POWERSO-10
AFT20P060-4NR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4
AFT09MP055NR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
ARF463BG	Microsemi Corporation	5000	- + Добавить Расследования	RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
ARF463BP1G	Microsemi Corporation	5000	- + Добавить Расследования	RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
PD85025-E	STMicroelectronics	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 40V 870MHZ
BLM8G0710S-15PBGY	Ampleon USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122
MMRF1320GNR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V
AFT20P060-4GNR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4GW
A2I08H040GNR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	IC RF LDMOS AMP
A2I08H040NR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	IC RF LDMOS AMP
MRF1570NT1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 40V 470MHZ TO272-8 WRAP
A2I20H060GNR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	IC TRANS RF LDMOS
A2I25H060NR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	IC RF LDMOS AMP
BLF25M612,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B
PD85035S-E	STMicroelectronics	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 40V 870MHZ
A2I20H060NR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	IC TRANS RF LDMOS
MMRF1320NR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V
A2I25H060GNR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	IC TRANS RF LDMOS
MMRF2005NR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 65V 940MHZ