Transistors - FETs, MOSFETs - RF - Компания JXR Technology (Гонконг) Ltd.

Продуктовый

Домой > Продуктовый > Дискретные полупроводниковые продукты > Транзисторы - FET, MOSFET - RF

номер детали	изготовитель	акция	Замечания	описание
MRF6V2010NBR1	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 110V 220MHZ TO272-2
MRFE6VP5600HSR6	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
BLL1214-250R,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A
MRF7S21170HR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 65V 2.17GHZ NI-880
BLF7G24L-100,118	Ampleon USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
BLF6G27-45,135	Ampleon USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A
BLS2933-100,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	RF FET LDMOS 65V 8DB SOT502A
MRF6V12500HR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
NE5511279A-T1-A	Zilog	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG
MRF6V12500HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 110V 1.03GHZ NI780HS
MRF6S21140HR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 68V 2.12GHZ NI-880
MRF6S21050LR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 68V 2.16GHZ NI-400
MRF8S7120NR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 70V 768MHZ
MRF8P9300HR6	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230H
BLF7G22L-130,112	Ampleon USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A
MRF8S21200HSR5	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS
MRF8S21200HR6	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H
MRF8P20160HSR3	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
MRF8S9260HR5	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 70V 960MHZ NI-880H
MRF8P9300HSR5	NXP USA Inc.	5000	- + Добавить Расследования	FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS